ما هي المواد المستهدفة الرش

يعد طلاء الرش المغنطروني طريقة طلاء بخار فيزيائية جديدة، مقارنة بطريقة طلاء التبخر السابقة، فإن مزاياه في العديد من الجوانب رائعة جدًا.كتقنية ناضجة، تم تطبيق رش المغنطرون في العديد من المجالات.

　　مبدأ الرش المغنطروني:

تتم إضافة مجال مغناطيسي متعامد ومجال كهربائي بين القطب المستهدف المتناثر (الكاثود) والأنود، ويتم ملء الغاز الخامل المطلوب (عادة غاز Ar) في غرفة الفراغ العالية.يشكل المغناطيس الدائم مجالًا مغناطيسيًا يتراوح من 250 إلى 350 غاوس على سطح المادة المستهدفة، ويتكون المجال الكهرومغناطيسي المتعامد من المجال الكهربائي عالي الجهد.تحت تأثير المجال الكهربائي، يتأين غاز Ar إلى أيونات وإلكترونات موجبة، ويستهدف ضغطًا سلبيًا معينًا، من الهدف من القطب بتأثير المجال المغناطيسي وزيادة احتمالية تأين الغاز العامل، ويشكل بلازما عالية الكثافة بالقرب من القطب. الكاثود، أيون آر تحت تأثير قوة لورنتز، يسرع الطيران إلى السطح المستهدف، ويقصف السطح المستهدف بسرعة عالية، وتتبع الذرات المتناثرة على الهدف مبدأ تحويل الزخم وتطير بعيدًا عن السطح المستهدف بقوة حركية عالية. الطاقة إلى فيلم ترسيب الركيزة.

ينقسم الرش بالمغنطرون بشكل عام إلى نوعين: الرش بالتيار المستمر و الرش بالترددات اللاسلكية.مبدأ معدات الرش بالتيار المستمر بسيط، ويكون المعدل سريعًا عند رش المعدن.استخدام الاخرق RF هو أكثر اتساعا، بالإضافة إلى الاخرق المواد الموصلة، ولكن أيضا الاخرق المواد غير الموصلة، ولكن أيضا إعداد الاخرق التفاعلي للأكاسيد والنيتريدات والكربيدات وغيرها من المواد المركبة.إذا زاد تردد التردد الراديوي، فإنه يتحول إلى بلازما ميكروويف.في الوقت الحاضر، يتم استخدام رنين السيكلوترون الإلكتروني (ECR) من نوع بلازما الميكروويف بشكل شائع.

　　المواد المستهدفة طلاء الاخرق المغنطرون:

المواد الهدف الاخرق المعادن ، طلاء سبائك الاخرق مواد الطلاء ، مواد طلاء الاخرق السيراميك ، المواد الهدف الاخرق السيراميك بوريد ، المواد الهدف الاخرق السيراميك كربيد ، المواد الهدف الاخرق السيراميك الفلورايد ، المواد الهدف الاخرق السيراميك نيتريد ، هدف السيراميك أكسيد ، سيلينيد السيراميك الاخرق المواد المستهدفة ، مواد هدف رش سيراميك السيليسيد، مادة هدف رش سيراميك كبريتيد، هدف رش سيراميك تيلورايد، هدف سيراميك آخر، هدف سيراميك أكسيد السيليكون المخدر بالكروم (CR-SiO)، هدف فوسفيد الإنديوم (InP)، هدف زرنيخيد الرصاص (PbAs)، زرنيخيد الإنديوم الهدف (InAs).